Влияние условий выращивания эпитаксиальных пленок Pb_0.95Sn_0.05Se ( и качества подложки BaF_2 ) на свойства барьеров Шоттки
Общая информация
Шотов А.П.
,
Вяткин К.В.
,
Подтаев С.Ю.
,
Пименова Т.В.
,
Утробина И.К.
,
Федорова Н.М.
Кратк. сообщ. по физ.
,
N9
, 01.1990 , с. C.23-26
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад