Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe
Общая информация
Шотов А.П.
,
Даварашвили О.И.
,
Курицын Ю.А.
,
Бычкова Л.П.
,
Кривцун В.М.
Квант. электрон.
,
Т.19,N2
, 01.1992 , с. C.128-131
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад