Пр. ФИАН , 01.1991    Включает:   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. Прямое определение плотности электронных состояний N*(E ) из критического поля Н_c2 и удельного сопротивления для Nb_3Sn , 01.1991 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад