Behavior of high-T_c Ba_1-xK_xBiO_3 in microwave field
Общая информация
Golovashkin A.I.
,
Anshukova N.V.
,
Ivanova L.I.
,
Rusakov A.P.
,
Tskhoverbov A.M.
,
Zherikhina L.N.
Pr. Phys.Inst.
,
N124
, 01.1991 , с. 16 c.
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад