Определение плотности электронных состояний RBaCuO и NdCeCuO из данных для критического поля H_c2
Общая информация
Головашкин А.И.
,
Печень Е.В.
,
Шабанова Н.П.
,
Красносвободцев С.И.
,
Ноздрин В.С.
Кратк. сообщ. по физ.
,
N1-2
, 01.1997 , с. C.20-27
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад