Письма в ЖЭТФ , 01.1996    Включает: А. А. Гиппиус ,     Галкина Т.И. ,     Бонч-Осмоловский М.М. ,     Клоков А.Ю. ,     Шарков А.И. ,     Хмельницкий Р.А. ,     Дравин В.А. Заглубленный имплантированный слой в алмазе как источник баллистических фононов при гелиевых температурах , 01.1996 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад