Заглубленный имплантированный слой в алмазе как источник баллистических фононов при гелиевых температурах
Общая информация
А. А.
Гиппиус
,
Галкина Т.И.
,
Бонч-Осмоловский М.М.
,
Клоков А.Ю.
,
Шарков А.И.
,
Хмельницкий Р.А.
,
Дравин В.А.
Письма в ЖЭТФ
,
Т.64,N4
, 01.1996 , с. С.270-272
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад