Эффект отрицателной емкости в гетероструктурах Ni-TiO{2}-pSi
Общая информация
Пенин Н.А.
,
Курбатов В.А.
,
Болтаев А.П.
,
Бурбаев Т.М.
,
Калюжная Г.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.28,N9
, 01.1994 , с. C.1569-1575
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад