Низкопороговый экситон-биэкситонный оптический штарк-эффект в прямозонных полупроводниках
Общая информация
Келдыш Л.В.
,
Иванов А.Л.
,
Панащенко В.В.
ЖЭТФ
,
Т.99,N2
, 01.1991 , с. C.641-658
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад