Кратк. сообщ. по физ. , 01.1994    Включает:   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами , 01.1994   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Кадушкин В.И. Резонансное туннелирование и эффекты бистабильности в сверхрешетках на основе GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами , 01.1994 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад