Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами
Общая информация
Мурзин В.Н.
,
Карузский А.Л.
,
Квит А.В.
,
Пересторонин А.В.
Кратк. сообщ. по физ.
,
Т9-10
, 01.1994 , с. C.3-9
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад