Резонансное туннелирование и эффекты бистабильности в сверхрешетках на основе GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами
Общая информация
Мурзин В.Н.
,
Митягин Ю.А.
,
Стоклицкий С.А.
,
Кадушкин В.И.
Кратк. сообщ. по физ.
,
Т9-10
, 01.1994 , с. С.10-15
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад