Intern. sympos. "Nanostructure: Physics and Technology", St.Peterburg, Russia, June 24-28 , 1996

Общая информация




 

 Включает:

  1.   Murzin V.N. ,     Mityagin Y.A. ,     Rasulova G.K. ,     Efimov Y.A. Observation of enhanced current hysteresis

  2.   Tsvetkov V.A. ,     Sibeldin N.N. ,     Kazakov I.P. ,     Skorikov M.L. ,     Kozyrev D.A. ,     Tsehosh V.I. Redistribution of the nonequilibrium charge carries in the quantum wells of the asymmetric doublewell structure in the parallel magnetic field

  3.   Kopaev Y.V. ,     Zasavitskii I.I. ,     Sibeldin N.N. ,     Kornyakov N.V. ,     Boltaev A.P. ,     Loiko N.N. ,     Rzaev M.M. Switching effects and negative capacitance in Si/Ge multiple quantum wells




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад