Микроэлектроника , 01.1996    Включает:   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям , 01.1996 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад