Физ. и техн. полупровод. , 01.1998    Включает:   Мурзин В.Н. ,     Ефимов Ю.А. ,     Чижевский Е.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Цховребов А.М. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Белоушкин А.А. ,     Игнатьев А.С. Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором , 01.1998 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад