Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором
Общая информация
Мурзин В.Н.
,
Ефимов Ю.А.
,
Чижевский Е.Г.
,
Карузский А.Л.
,
Цховребов А.М.
,
Пересторонин А.В.
,
Расулова Г.К.
,
Белоушкин А.А.
,
Игнатьев А.С.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.32,N1
, 01.1998 , с. C.124-127
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад