Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , 01.1999    Включает:   . ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Корняков Н.В. ,     Лойко Н.Н. ,     Турьянский А.Г. ,     Рзаев М.М. Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям , 01.1999 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад