Оптические межподзонные переходы в напряженных квантовых ямах на основе твердых растворов In{1-x}Ga{x}As/InP
Общая информация
Мурзин В.Н.
,
Митягин Ю.А.
,
Стоклицкий С.А.
,
Монемар Б..
,
Хольц П.О.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.33,N1
, 01.1999 , с. C.83-90
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад