Квантоворазмерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb_1-xEu_xSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Общая информация
Засавицкий И.И.
,
Мацонашвили Б.Н.
,
Ширков А.В.
,
Валейко М.В.
,
Рухадзе З.А.
Физ. и техн. полупровод.
,
Т.24,N8
, 01.1990 , с. C.1437-1443
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад