Расходимость излучения щелевого СО_2 лазера с неустойчивым разъюстированным резонатором
Общая информация
Очкин В.Н.
,
Кузнецов А.А.
,
Ксин Ж..
Пр.ФИАН
,
N62
, 01.1997 , с. 12 c: ил.
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад