Appl.Phys.Lett , 01.1994    Включает:   Stoklitsky S.A. ,     Zhao Q.X. ,     Holtz P.O. ,     Monemar B.. ,     Lundstrom T.. Strain effects on the intervalence-subband normal incidence absorption in a p-type InGaAs/InP quantum well , 01.1994 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад