Strain effects on the intervalence-subband normal incidence absorption in a p-type InGaAs/InP quantum well
Общая информация
Stoklitsky S.A.
,
Zhao Q.X.
,
Holtz P.O.
,
Monemar B..
,
Lundstrom T..
Appl.Phys.Lett
,
Vol.65,N13
, 01.1994 , с. P.1706-1708
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад