Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К
Общая информация
Карузский А.Л.
,
Квит А.В.
,
Медведев С.А.
,
Клевков Ю.В.
,
Пересторонин А.В.
,
Свербиль П.П.
Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999
, с. С.56
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад