Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998

Общая информация




 

 Включает:

  1.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Рзаев М.М. Гетероструктуры Si/SiGe с высокой подвижностью носителей заряда в квантовых ямах

  2.   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния




Copyright © БЕН РАН.


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а) 		Назад