Измерение латеральной подвижности носителей заряда в структурах с квантовыми ямами
Общая информация
Виноградов В.С.
,
Сибельдин Н.Н.
,
Болтаев А.П.
,
Казаков И.П.
,
Цехош В.И.
,
Рзаев М.М.
Микроэлектроника
,
Т.27,N6
, 01.1998 , с. C.423-430
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад