Физ. тверд. тела , 01.2000    Включает:   Багаев В.С. ,     Зайцев В.В. ,     Онищенко Е.Е. ,     Садофьев Ю.Г. Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe выращенных методом МПЭ на подложках GaAs (100) , 01.2000 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад