Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe выращенных методом МПЭ на подложках GaAs (100)
Общая информация
Багаев В.С.
,
Зайцев В.В.
,
Онищенко Е.Е.
,
Садофьев Ю.Г.
Физ. тверд. тела
,
Т.42,N2
, 01.2000 , с. C.230-234
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад