Formation of charged excitonic complexes in shallow quantum wells of undoped GaAs/AlGaAs structures under below-barrier and above- barrier photoexcitation
Общая информация
Tsvetkov V.A.
,
Sibeldin N.N.
,
Skorikov M.L.
Nanotechnology
,
N4
, 01.2001 , с. P.591-596
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад