Спектры решеточного ИК-отражения напряженных сверхрешеток ZnSe / Zn_1-xCd_xSe выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Общая информация
Виноградов В.С.
,
Водопьянов Л.К.
,
Садофьев Ю.Г.
,
Козырев С.П.
Физ. тверд. тела
,
Т.43,N7
, 01.2001 , с. C.1310-1314
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад