http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=134ff601-ff31-4c41-a6b6-6a8f34482507&print=1
© 2024 Российская академия наук

Академику Осико Вячеславу Васильевичу - 80 лет!

28.03.2012

Юбилей академика Осико Вячеслава Васильевича

АКАДЕМИК

ОСИКО ВЯЧЕСЛАВ ВАСИЛЬЕВИЧ

Академик Осико (jpg, 76 Kб)

Вячеслав Васильевич Осико родился 28 марта 1932 года в г. Ленинграде.
Окончил Физико-химический факультет Московского химико-технологического института им. Д.И. Менделеева в 1954 году. В 1955 – 1983 гг.– старший лаборант – младший научный сотрудник – старший научный сотрудник – начальник отдела – заведующий сектором – заведующий лабораторией Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР. В 1983 – 1997 гг. – заведующий отделом – заместитель директора по науке Института общей физики РАН. В 1997 – 2007 гг.– директор Научного центра лазерных материалов и технологий Института общей физики РАН. С 2007 г. – руководитель Научного центра лазерных материалов и технологий Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН.

Член-корреспондент с 1981 г., академик c 1987 г. - Отделение химии и наук о материалах.

В.В. Осико - специалист в области физики твердого тела, лазерной физики, лазерных материалов, наноматериалов и нанотехнологий.

В 1961 году по инициативе академиков А.М. Прохорова и Н.Г. Басова В.В. Осико возглавил отдел монокристаллов ФИАНа, задачами которого стали поиск, получение и исследование кристаллических и стеклообразных материалов для лазеров.

По инициативе В.В. Осико научная тематика подразделения существенно расширилась и продолжает расти и по сей день. Селективная лазерная спектроскопия, процессы излучательной и безызлучательной релаксации, спектроскопия неоднородного уширения и расщепления, безызлучательный перенос и миграция электронных возбуждений, высокотемпературная спектроскопия КРС - далеко не полный круг фундаментальных физических направлений и проблем, вклад в которые школы В.В. Осико признается мировым научным сообществом.

Всемирную известность приобрели работы ученого в области плавления и кристаллизации тугоплавких материалов - диэлектриков путем прямого индукционного плавления в холодном контейнере. Одним из главных результатов этой работы стало получение кристаллов фианитов, которые за короткий срок распространились по всему миру и сейчас по объему производства занимают среди всех кристаллов второе место после кремния. На основе этих работ в Советском Союзе и за его пределами сформировалась промышленность особотугоплавких монокристаллов, стекол и керамических материалов.

Значительные успехи достигнуты в разработке так называемых высококонцентрированных лазерных сред, наиболее известными из которых являются кристаллы смешанных эрбиевых гранатов и неодимовые стекла КНФС.

Это направление в области лазерного материаловедения получило затем развитие не только в России, но и в США, Японии и Франции. В последнее время успешно продвигаются работы по созданию лазеров для медицины.

На основе теоретических прогнозов и экспериментальных исследований коллективом ученых под руководством В.В. Осико разработаны элементарные механизмы внутриионной релаксации, передачи и переноса электронного возбуждения в активированных ионами редкоземельных и переходных элементах кристаллов и стекол. Был создан целый ряд материалов, получивших признание и широкое распространение в мире, разработаны эффективные лазеры с КПД, в несколько раз превышающим КПД ранее известных аналогов. Создана серия перестраиваемых лазеров и спектрометров на основе фторида лития с центрами окраски, работающими при комнатной температуре и перекрывающими видимую и ближнюю ИК области спектра.

В.В. Осико является соруководителем двух учебно-научных центров, главой научной школы. Под его руководством защищено 15 кандидатских диссертаций.

В.В. Осико - автор и соавтор около 500 научных работ, из них 2 монографий, 40 авторских свидетельств и 10 патентов.

Член редколлегии журнала «Доклады Академии Наук».

В.В. Осико является руководителем секции «Образование и структура кристаллов» Научного совета РАН, членом экспертной комиссии по ФЦП, научным соруководителем НТЦ «Спектр», председателем Комитета РАН – Самсунг, председателем Комиссии по зарубежному патентованию РАН.

Лауреат Ленинской премии, премии Совета Министров СССР, премии Лодиза Международной организации по росту кристаллов.

Награжден орденом Трудового Красного Знамени и орденом Почета.

Лауреат премии им. Е.С.Федорова (РАН).