![(jpg, 48 Kб)](/FStorage/Download.aspx?id=48810232-242d-4c8c-ba4e-c9ed48e64b4c)
Поздравление академику РАН Шевченко Владимиру Ярославовичу
Владимир Ярославович Шевченко родился 5
марта 1941 года в селе Матусово Смелянского района Черкасской области на
Украине.
В 1963 году окончил Физический факультет
Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова. Далее — Институт
радиотехники и электроники АН СССР; в 1964-1968 гг. — стажировка в
Физико-техническом институте АН СССР; Институт общей и неорганической химии АН
СССР; в 1979-1984 гг. — Институт химии ДВО АН СССР. Затем — Институт
технической керамики АН СССР: старший научный сотрудник, зав. лабораторией,
первый заместитель директора, директор. В 1998-2018 гг. — директор Ордена
Трудового Красного Знамени Института химии силикатов имени И.В. Гребенщикова
РАН.
Член-корреспондент РАН с 1994 года,
академик РАН с 2000 года — Отделение химии и наук о материалах.
Академик В.Я. Шевченко — выдающийся ученый
в области физикохимии и технологии керамических и силикатных материалов,
супрамолекулярной химии, структурной химии наносостояния, новых биоматериалов,
наночастиц, наноструктур и нанокомпозитов. Его открытия помогли формированию
нового фундаментального научного направления, созданию новых керамических
материалов, востребованных в ядерной промышленности, строительстве и медицине, помогли
упрочению национальной безопасности России. Крупный организатор академической
науки.
Он сформулировал основные принципы
структурной химии наносостояния. Им установлены общие принципы строения
различных объектов наномира, включающие в себя парадигму «строительных блоков»,
описание с использованием неэвклидовой геометрии (приближение искривленного
пространства) и локально-минимальных многообразий, а также возможность
когерентного соединения частиц, характеризующихся различными (несовместимыми в
кристаллах) элементами симметрии. Им заложены основы теории строения вещества в
наносостоянии — теория носит общий характер и применима для неорганических,
органических и биологических нанообъектов.
В.Я. Шевченко получены пионерские
результаты в области химии и технологии полупроводниковых соединений АIIВV,
положившие начало их внедрению в новую технику. Все работы В.Я. Шевченко носят
приоритетный, оригинальный характер, имеют большое значение для практики. Он был
«отцом» советских керамических зубов.
В 1987 году В.Я. Шевченко первым из
советских ученых избран во Всемирную академию керамики, которая объединяет
ведущих ученых мира в этой области, в 1998 -2002 годах был президентом этой
академии. В 2015 году избран «Fellow of ECerS» Европейского керамического
общества.
Еще студентом в лаборатории кафедры теории
колебаний В.Я. Шевченко занимался исследованием физических свойств
сегнетоэлектриков (триглицин сульфата) в электрических полях 10-5-102
Гц — тогда полученные результаты были опубликованы в журнале «Кристаллография»,
доложены на двух всесоюзных конференциях, имели хорошую цитируемость в
литературе. Далее занимался новыми полупроводниковыми соединениями группы AIIBV
(CdSb, Cd3As2 и т.п.) с целью определить общее и различное в формировании
физических свойств не только внутри группы, но и сравнить ее с другими группами
полупроводниковых веществ. Эти работы стали основой кандидатской (1969) и
докторской (1977) диссертаций, итоги исследований были опубликованы в книге «Полупроводниковые
соединения группы AIIBV» (1978), отмечены наградами ВДНХ, премией Совета
Министров СССР.
В.Я. Шевченко исследовал проблемы
зависимости физических свойств полупроводниковых веществ в так называемых
гомологических рядах, построенных по принципу положения компонентов соединения
в Периодической системе элементов Д.И. Менделеева. На основе наблюдений за
изменением свойств нескольких тысяч веществ были обнаружены структурные переходы
в таких рядах при переходах от полупроводниковых к металлическим свойствам.
Таким образом, было впервые доказано существование связей структуры — свойство
в зависимости от положения компонентов веществ в Периодической системе. Эта
работа зарегистрирована в СССР как открытие под №196; в ней В.Я. Шевченко
активно сотрудничал с академиком Н.В. Беловым и член-корр. АН СССР Г.Б. Бокием;
одним из интересных следствий этой работы было предсказание существования
соединения GaBi с полупроводниковыми свойствами.
По предложению академика Н.М. Жаворонкова
В.Я. Шевченко в 1979-1984 годы уехал на Дальний Восток в Институт химии ДВО АН
СССР для организации работы по физико-химии и технологии неорганических
материалов. Были организованы Отдел материалов ИХ ДВО АН СССР в г. Хабаровске
(затем Институт материаловедения), Отдел порошковой металлургии во Владивостоке,
Временная научно-техническая лаборатория в ИХ ДВО АН СССР, совместно с ЦНИИ КМ «Прометей».
По инициативе В.Я. Шевченко началось взаимодействие с предприятиями Дальнего
Востока в области материаловедения, в частности, заводе «Звезда» была внедрена
совместно с ЦНИИ КН «Прометей» технология микродугового оксидирования для
защиты титановых деталей специального назначения, впоследствии отмеченная
Государственной премией РФ.
Продолжая исследования в области химии и
технологии полупроводников AIIBV, В.Я. Шевченко одновременно, в связи с
прикладными задачами, начал исследования в области материалов для защиты от
тепловых и механических нагружений (в том числе высокоскоростных). Это позволило
создать в СССР первую конструкцию бронеэлементов, которые показали высокую
эффективность, и в дальнейшем были использованы в реальной бронезащите.
Правительство СССР приняло решение о создании специальной программы развития
технической керамики в стране, была создана Комиссия, В.Я. Шевченко являлся ее ученым
секретарем.
В.Я. Шевченко разработал теорию прочности
керамических материалов при интенсивных механических и тепловых нагрузках, что
привело к созданию первых отечественных бронеконструкций для бронежилетов и
машин. Работы произвели большое впечатление на министра обороны СССР Д.Ф.
Устинова и его заместителя по вооружению В.М. Шабанова, было принято решение
организовать в Москве в составе АН СССР Институт технической керамики, вышло Постановление
Совета Министров СССР. В 1987 году академик Н.М. Жаворонков и В.Я. Шевченко
создали Институт, были построены исследовательские корпуса, закуплено
оборудование, газостатическая машина с рекордными параметрами.
В 1998-2001 гг. В.Я. Шевченко, уже будучи директором
Института химии силикатов РАН (Санкт-Петербург) сформулировал и доказал ряд
идей в области структурной химии, основанных на представлениях о
фундаментальных конфигурациях, лежащих в основе строения вещества. Это
позволило по-новому построить структуры десятков тысяч веществ, включая такие «традиционные»
структуры как NaCd2, «кентавры»-наночастицы ZrO2, цеолиты и т.п. Развитие идеи
позволило по-новому осмыслить и определить наносостояние вещества как области
пространства, в котором формируется вещество. Проблемы организации атомов
вещества в пространстве привели к разработке идеи трижды периодических
поверхностей минимальных энергий, впервые сформулированной еще фон Шнерингом в
1982 году.
В сочетании с теорией
реакционно-диффузионных процессов А. Тьюринга, позволяющей получать
периодические структуры, В.Я. Шевченко предложил экспериментальную реализацию
таких структур в неорганических системах для гетерогенетических пар углерод (алмаз)
— кремний, что позволило получить удивительный композит алмаз-карбид кремния со
свойствами, близкими к алмазу. Полученные результаты существенно расширили наши
представления о наносостоянии вещества, процессах его образования,
самоорганизации, позволили предсказать ряд новых веществ (некоторые из них уже
синтезированы), сформулировать новые законы существования материи.
В.Я. Шевченко сформулировал основные
принципы структурной химии наносостояния. Им установлены общие принципы
строения различных объектов наномира, включающие в себя парадигму «строительных
блоков», описание с использованием неэвклидовой геометрии (приближение
искривленного пространства) и локально-минимальных многообразий, а также
возможность когерентного соединения частиц, характеризующихся различными
(несовместимыми в кристаллах) элементами симметрии. Заложены основы теории
строения вещества в наносостоянии. Теория носит общий характер и применима для
неорганических, органических и биологических нанообъектов.
В настоящее время В.Я. Шевченко развивает
физико-химические основы реакционно-диффузионных процессов морфогенеза,
определяющих топохимические процессы образования трижды периодических
поверхностей минимальной энергии, что позволяет создать «физические» сотовые
структуры.
Из интервью В.Я. Шевченко: «К 1990-м годам
наша оптика была в первых рядах. Мы первые сфотографировали обратную сторону
Луны — американцы еще только создавали такую аппаратуру. На оси Москва — Петербург
— три огромных стекольных предприятия. Сейчас все три завода — «Красный
Пролетарий», «Красный Маяк» и «Дружная горка» — развалились, потому что были
приватизированы и проданы через подставных лиц иностранцам. Скупил — и можно
завод уничтожить, схема очень простая, так многие наши предприятия разрушились.
Сейчас строят новые, но каким образом: в Англии на предприятии произошло
обновление, а снятое оборудование — нам. И у них современное предприятие, а у
нас — 10-летней давности… А насчет керамической брони — действительно, мы
первыми в мире создали основу этой технологии. Керамическая броня применяется в
жилетах, танках, бронемашинах. В Афганистане керамические бронежилеты спасли
более 3 тысяч жизней».
В.Я. Шевченко — руководитель авторитетной
научной школы. Автор более 230 научных работ, 26 изобретений и патентов, автор 6
монографий: «Введение в техническую керамику», «Техническая керамика» и др.
Главный редактор журнала «Физика и химия
стекла» РАН, руководитель Совета журнала «Наноиндустрия».
Член Бюро Отделения
химии и наук о материалах РАН, член Президиума Санкт-Петербургского научного
центра РАН, председатель Научного совета по керамическим материалам, председатель
Национальной комиссии по стеклу, вице-президент Российского керамического
общества, заместитель председателя Координационного совета по развитию
нанотехнологий при Комитете Совета Федерации по науке, культуре, образованию,
здравоохранению и экологии, член научно-технического совета Государственной
корпорации «Роснанотех».
Член Всемирной академии керамики, член («Fellow»)
Европейского керамического общества, представляет Российскую Федерацию в
Международной комиссии по стеклу, член исполкома Международной федерации
керамики, вице-президент Международной академии керамики.
Почетный член национальных керамических
обществ США, Италии, Франции, Японии, Германии, почетный профессор Израильского
университета (г. Ариэль), Санкт-Петербургского государственного
технологического института.
Награжден орденом Почета, орденом Дружбы, орденом
Александра Невского, медалями им. С.И. Мосина, им. Н.Н. Семенова, им. П.Л.
Капицы.
Лауреат премии Совета Министров СССР, Государственной
премии РФ.
Удостоен премии им. И.В. Гребенщикова РАН,
премии им. Д.И. Менделеева в области химических наук Правительства
Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского Научного Центра РАН.