http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=26cc6e61-666d-4f19-bca9-725d98f7d4e1&print=1© 2024 Российская академия наук
Российские ученые разработали излучатели, которые эффективно преобразуют лазерное излучение в терагерцевые электромагнитные волны очень широкого диапазона частот. При этом они не требуют мощного лазерного излучения для работы. Предложенный подход может использоваться для создания компактных ТГц-источников с высокой интенсивностью излучения. Подобные приборы помогут улучшить качество изображений в сканерах багажа или биомедицинских томографах, а также детектировать вредные вещества в воздухе. Результаты исследования, поддержанного грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в журнале OpticsLetters.
Терагерцевое излучение (ТГц) представляет собой электромагнитные волны, диапазон частот которых лежит между радио- и инфракрасным спектром. Оно хорошо проходит через многие материалы, например пластик, дерево и керамику, поэтому его используют, в частности, для сканирования багажа. Кроме того, широко развивается направление медицинской томографии для «просвечивания» человеческих тканей с использованием волн такого же диапазона. В отличие от рентгеновских, ТГц-лучи безвредны, поскольку не обладают ионизирующимисвойствами. Для генерации волн в ТГц-диапазоне ученые используют преобразование лазерных лучей, но этот процесс обладает низкой эффективностью и поэтому требует очень мощных и дорогостоящих лазерных систем.
Группа исследователей из Института прикладной физики РАН (Нижний Новгород), Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова РАН (Москва) и Московского государственного технического университета имени Н. Э. Баумана (Москва) разработала источник ТГц-излучения, который преобразует импульсное лазерное излучение в терагерцевое с высокой эффективностью. Такое преобразование происходит благодаря эффекту Дембера — явлению, когда в полупроводнике, на который действуют ультракороткие лазерные импульсы, возникает импульсное (то появляющееся, то исчезающее) электрическое поле.
Конструкцию ТГц-источника полностью изготовили физики из ИСВЧПЭ РАН. Для этого они сконструировали полупроводниковую структуру на основе тройного твердого раствора из индия (In), галлия (Ga) и мышьяка (As). Еерост происходил слой за слоем в условиях сверхвысокого вакуума. Сверху на полупроводник нанесли ассиметричную металлическую решетку, которая пропускала через себя лазерное излучение. При этом решетка имела большую площадь (1,5 квадратных сантиметра) в сравнении с другими аналогичными излучателями, размер которых составляет около квадратного миллиметра.
Затем физики из ИПФ РАН измерили характеристики разработанного ТГц-источника и определили, что он с высокой эффективностью излучает электромагнитные волны в широком диапазоне частот (до 6 ТГц — частоты, примерно в 2,5 тысячи раз больше излучения микроволновых печей). В последующих экспериментах зарубежные коллеги из Центра имени Гельмгольца Дрезден-Россендорф (Дрезден) определили, что прибор не теряет эффективности при увеличении частоты лазерных импульсов, то есть при росте мощности ТГц-излучения. Кроме того, разработанный излучатель позволяет получать терагерцевые волны при относительно низкой мощности падающего на него лазерного излучения. Все это крайне важно для создания недорогих и компактных устройств с ТГц-источниками.
«Наш подход открывает новые возможности для разработки систем обнаружения вредных веществ в воздухе, контроля качества медикаментов и диагностирования заболеваний. Важно отметить, что наш источник терагерцевых волн не нуждается в приложении внешних электрических полей, то есть не требует источника питания, так как свойства материала, из которого он состоит, сами по себе позволяют создавать электрическое поле. Это должно увеличить срок службы такого источника, что будет важным конкурентным преимуществом», — рассказывает руководитель проекта по гранту РНФ Рустам Хабибуллин, ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН и МГТУ имени Н. Э. Баумана.
Рисунок 1. Внешний вид модуля-преобразователя лазерного излучения в терагерцевый диапазон и особенности структуры металлической решётки на его поверхности. Источник: Ilyakov I. E. etal. / OpticsLetters, 2021.