Академику Шабанову Василию Филипповичу - 75 лет!
17.05.2015
Юбилей академика Шабанова Василия Филипповича
АКАДЕМИК
ШАБАНОВ ВАСИЛИЙ ФИЛИППОВИЧ
![Ак. Шабанов (jpg, 10 Kб)](/FStorage/Download.aspx?id=0a216456-295e-452c-85c9-6743995bb0fb)
Василий
Филиппович Шабанов родился 17 мая 1940 года в д. Михайловка Седельского района
Омской области.
В 1963 года окончил Омский государственный педагогический
институт по специальности "преподаватель физики и химии".
С 1964 года
работает в Институте физики им. Киренского СО РАН, а с 2004 года – директор этого
института. Директор Специального конструкторско-технологического бюро «Наука»
КНЦ СО РАН с 1986 года.
Член-корреспондент c 1991 года, академик РАН c 2003 года – Отделение
химии и наук о материалах РАН.
Основными направлениями научных исследований В.Ф. Шабанова
являются исследования оптических и спектральных характеристик анизотропных сред
и создание на их основе оптоэлектронных элементов и устройств. В его работах
установлен факт изменения поляризуемости молекул при переходе из свободного
состояния в кристаллическое.
Развиты количественные методы определения
эффективных поляризуемостей и тензоров локального поля, таким образом решена
задача, сформулированная еще в классических работах X. Лорентца. На этой
основе, с учетом эффектов запаздывания, получены основные уравнения
кристаллоптики, что позволяет интерпретировать и проводить расчеты динамических
и оптических свойств анизотропных сред, открывает перспективу материалов с
заданными свойствами (упругие константы, показатель преломления, нелинейные
восприимчивости, интенсивность линий).
Им впервые показано, что потенциальная функция водородной связи в
некоторых сегнетоэлектрических кристаллах имеет двухминимумный ассиметричный
вид уже в параэлектрической фазе, что объясняет эффект изотопического
неизоморфизма. Обнаружен иинтерпретирован эффект нелинейного резонанса
колебаний вблизи Тс и выяснена роль нецентральных взаимодействий в динамике
кристаллических решеток.
Исследованы одномерные фотоннокристаллические (ФК) структуры,
организованные на основе жидких кристаллов, разработан способ управления
спектром пропускания и локализацией электромагнитного поля в дефектных модах
ФК, выявлено резонансное взаимодействие дефектных мод. Разработан композитный
материал с рекордным быстродействием на основе сегнетоэлектрических ЖК и на его
основе созданы модуляторы света. Созданы работающие на новых принципах
ЖК-индикаторы с использованием композитных материалов, сверхчувствительные приборы
для количественного анализа веществ и качества поверхности.
Эти работы способствовали созданию физических основ управления
оптическими свойствами фотоннокристаллических структур, интенсивно
развивающихся в последние годы.
Им разработаны физикохимические основы технологии получения новых
материалов с уникальными свойствами при комплексной переработке техногенного
сырья.
Преимуществом разработанного метода получения оптически прозрачных
стекломатериалов из отходов промышленности является возможность кристаллизации
из аморфного состояния фаз с различными тепловыми коэффициентами расширения не
только по величине, но и по знаку. Такие материалы необходимы для создания
фотоннокристаллических структур. Использование данных ситаллов в качестве
подложек для пленок магнитодиэлектриков позволяет получать (в отличие от
подложек из кварца) более мелкодисперсную кристаллическую структуру, что
снижает кристаллические шумы при магнитооптическом считывании информации.
Разработки защищены патентами России, США и Мексики, реализованы в промышленном
масштабе при производстве теплоизоляционных материалов на ГРЭС-2 (г.
Зеленогорск).
Среди его учеников 7 докторов и 21 кандидат наук.
Он автор и соавтор более 250 научных работ, в том числе пяти
монографий.
Член редколлегии журнала «Оптика атмосферы и океана» и «Журнала Сибирского
федерального университета. Серия «Математика и физика», заместитель главного
редактора журнала «Наука из первых рук».
Член президиума СО РАН, член Научного совета РАН по
проблеме «Спектроскопия атомов и молекул».
Председатель Красноярского научного центра СО РАН.
Член Научного
совета РАН по проблеме «Спектроскопия атомов и молекул».
Председатель Совета научных центров СО РАН, зам. председателя
Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН.
Награжден орденом Почета и орденом «За заслуги перед Отечеством »
IV степени.