Академику Сигову Александру Сергеевичу - 70 лет!
31.05.2015
Юбилей академика Сигова Александра Сергеевича
АКАДЕМИК
СИГОВ АЛЕКСАНДР
СЕРГЕЕВИЧ
![Академик Сигов (jpg, 114 Kб)](/FStorage/Download.aspx?id=92355c9d-5703-4930-8229-77ce04affb90)
Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая 1945 года в г. Донецке.
В 1968 году окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова по кафедре квантовой теории. В 1971 году окончил
аспирантуру Физфака МГУ и был распределен
в МИРЭА, где и работает
по настоящее время.
С 1998 по 2013 г.— ректор МИРЭА. С 2013 года —
Президент МГТУ МИРЭА.
Член-корреспондент
с 2006 года, академик РАН с 2011 года - Отделение нанотехнологий и информационных
технологий РАН.
Специалист
в области элементной базы информационных систем, твердотельной электроники и
материаловедения.
Основные
научные результаты:
создано
новое направление – активные диэлектрики для электронно-компонентной базы, в
рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные
запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические, системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические
ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотониники;
исследован
и внедрен в промышленность новый класс диэлектрических материалов для
формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем;
выполнены
фундаментальные исследования свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков,
роли дефектов разных типов и процессов самоорганизации в упорядоченных структурах
для перспективных устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми
превращениями, гигантским магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты
использованы при создании магнитных накопителей, датчиков магнитного поля,
интегральных ЗУ).
Он
подготовил 10 докторов и 17 кандидатов наук.
Автор и соавтор более 300 научных трудов, 7 монографий,
14 учебников и 33 изобретения.
Главный редактор журнала «Наноматериалы и
наноструктуры», член редакционных коллегий и советов международных и российских
журналов - «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника»,
«Integrated Ferroelectrics» и др.
Член Научного совета при Совете Безопасности РФ, член
бюро – Председатель секции по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков
Объединенного Совета РАН по физике конденсированных сред и ряда советов
Минобрнауки России, Европейского физического общества и Института
электроинженеров (Англия), заместитель председателя Межгосударственного совета
по микронаномехатронике.
Лауреат Государственной премии РФ.
Лауреат премии Правительства РФ (трижды).
Заслуженный деятель науки РФ.
Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени.