http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=f66aa653-a6cd-4e65-903b-e1682585d1aa&print=1© 2024 Российская академия наук
АКАДЕМИК
Нефедов Вадим Иванович
Вадим Иванович Нефедов родился 29 июня 1937 г., в г. Магнитогорске. Окончил Лейпцигский университет в 1962 г.
Специалист в области изучения строения и химической связи в неорганических материалах и соединениях рентгеноспектральными методами, физикохимии поверхности.
Член-корреспондент РАН c 1994 г., академик Отделения химии и наук и материалах c 2003 г.
Заведующий лабораторией Института общей и неорганической химии РАН (ИОНХ РАН).
В.И. Нефедов разработал теорию переноса электронной плотности между лигандами и предсказал наличие цис-влияния в соединениях непереходных элементов.
Выявил закономерности в распределении электронной плотности в структуре валентных уровней и установил ряды донорно-акцепторной активности лигандов. Теоретически обосновал и экспериментально доказал связь этих рядов с рядом взаимного влияния лигандов. Разработал метод определения эффективного заряда атома в соединении и потенциала Маделунга. Изучал деградацию высокотемпературных сверхпроводников при различных физико-химических воздействиях. Разработал метод количественного рентгеноэлектронного анализа поверхности твердых тел.
Им была разработана теория рентгеноэлектронного анализа поверхности твердых тел, в том числе и в глубь образца до 50 А. Экспериментально определены факторы чувствительности большинства элементов. Проведены исследования катализаторов, полупроводников и сверхпроводников, сплавов, стекол, минералов, в том числе лунного реголита, изучены процессы миграции радиоактивных элементов и роль гуминовых кислот в этих процессах. Показана роль недипольных переходов для количественного рентгеноэлектронного анализа. Разработаны методы рентгеноэлектронного определения ряда структурных характеристик химических соединений. Экспериментально исследованы и обобщены результаты по электронному строению свыше 1000 химических соединений.
Результаты исследований В.И. Нефедова позволили решить крупные прикладные проблемы, связанные с элементной базой современной электроники.
Им опубликовано свыше 400 статей, 10 монографий, получено 6 авторских свидетельств.
Главный редактор журнала «Неорганические материалы», член редколлегии журнала «J. Electron Spectroscopy Related&Phenomena».
Зам. председателя Научного совета РАН по неорганической химии.
Многие годы был членом ВАК и членом ученого совета научного центра в Розендорфе (Германия).
Лауреат Государственных премий СССР и РСФСР.
Лауреат международной премии: “Рентгеновский профессор” и фонда им. А. Гумбольда.