РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ПРЕЗИДИУМ

     1. Провести 15-17 октября 2008 г. в г. Москве совещание специалистов СНГ по полупроводниковому материаловедению - Годичное собрание Секции по проблемам функциональных материалов электронной техники (далее - Годичное собрание) Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук с общим числом приглашенных 40 человек, из них 20 человек из стран СНГ.

     2. Поручить председателю Научного совета РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения академику Кузнецову Ф.А. подготовку и проведение Годичного собрания.

     3. Разрешить Научному совету РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения пригласить для участия в Годичном собрании до 20 ученых стран СНГ и 3 человек в качестве гостей РАН с оплатой проживания в гостинице.

     4. Поручить директору Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН академику Орликовскому А.А. материально-техническое обеспечение подготовки и проведения Годичного собрания.

     5. Финансово-экономическому управлению РАН обеспечить финансирование Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН для подготовки и проведения Годичного собрания в соответствии со сметой, утвержденной в установленном порядке.

     6. Поручить Управлению делами РАН:

     6.1. предоставить в здании Президиума РАН (г. Москва, Ленинский просп., 32а) зал «Ротонда» для работы Годичного собрания 15-17 октября 2008 г.;

     6.2. оказать содействие в размещении иностранных участников Годичного собрания в гостинице «Академическая» (г. Москва, ул. Донская, 1) с оплатой номеров участниками по льготному тарифу.

     7. Научному совету РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения в месячный срок после окончания Годичного собрания представить в установленном порядке отчет о его проведении руководству Президиума РАН.

     8. Контроль за выполнением настоящего распоряжения возложить на вице-президента РАН академика Лаверова Н.П.

Президент
Российской академии наук
академик Ю.С.Осипов