Страницы:   1   2   3    Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Определение эффективных масс носителей в кристаллах методом измерения термомагнитных эффектов PbSnSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N7 , с. C.1361-1364 , 01.1976   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. Определение параметров зонной структуры полупроводников Pb_1-xSn_xSe из измерений эффекта Шубникова-де-Гааза. Физ. и техн. полупровод. , Т.11,N1 , с. C.162-167 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. ,     Вяткин К.В. Измерение коэффициента анизотропии поверхности Ферми в полупроводниках Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , T.11,N9 , с. C.1831-1834 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Водопьянов Л.В. ,     Шерм Р. Бесщелевое состояние и фононный спектр системы узкозонных соединений Pb_1-xSn_xSe. Письма в ЖЭТФ , Т.27,N2 , с. C.101-104 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. Определение параметров зонной структуры в кристаллах Pb_1-xSn_xSe из измерений термоэдс в сильных магнитных полях. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N9 , с. C.1807-1811 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Водопьянов Л.К. ,     Митягин Ю.А. Исследование плазменного отражения в системе твердых растворов Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.11,N3 , с. C.488-492 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Волков Б.А. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. Структурный фазовый переход в системе Pb_1-xSn_xSe под воздействием температуры и гидростатического давления. Письма в ЖЭТФ , Т.27,N9 , с. C.396-399 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. Влияние гидростатического давления на зонную структуру и кинетические явления в полупроводниках Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N12 , с. C.2332-2337 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Шмытько И.М. ,     Иванов В.И. ,     Шехтман В.Ш. Структурные переходы в системе Pb_1-xSn_xSe в интервале 4.2-300 К. Физ. тверд. тела , Т.22,N5 , с. C.1384-1387 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Свистов А.Е. Энергетические уровни собственных дефектов в кристаллах Pb_1-xSn_xSe n-типа. Физ. и техн. полупровод. , N5 , с. C.890-896 , 01.1981