Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. ,     Вяткин К.В. Измерение коэффициента анизотропии поверхности Ферми в полупроводниках Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , T.11,N9 , с. C.1831-1834 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Синятынский А.А. Инжекционные лазеры с двойной гетероструктурой на основе Pb_1-xSn_xSe, изготовленные методом молекулярной эпитаксии. Письма в ЖТФ , Т.6,N16 , с. C.983-986 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ДГС лазеры на основе Pb_1-xSn_xSe, работающие в непрерывном режиме при 80 К. Письма в ЖТФ , Т.6,N19 , с. C.1199-1202 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.14,N7 , с. C.1331-1334 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Урсаки В.В. Тонкие слои Pb_1-xSn_xSe, выращенные методом "горячей стенки". Изв. АН СССР. Неорган. материалы , Т.17,N1 , с. C.24-27 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Батраков А.В. ,     Легостаев В.М. ,     Подтаев С.Ю. Исследование фотоэлектрических свойств легированных сверхрешеток на основе PbSe. Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.32-34 , 01.1990   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Подтаев С.Ю. ,     Пименова Т.В. ,     Утробина И.К. ,     Федорова Н.М. Влияние условий выращивания эпитаксиальных пленок Pb_0.95Sn_0.05Se ( и качества подложки BaF_2 ) на свойства барьеров Шоттки. Кратк. сообщ. по физ. , N9 , с. C.23-26 , 01.1990