Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Гегиадзе Г.Г. ,     Чиковани Р.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Зломанов В.П. ,     Криалашвили И.В. ,     Долгинов Л.М. ,     Качлишвили З.С. ,     Корчагин Ю.Н. ,     Мильвидский М.Г. ,     Мхеидзе Т.Д. Узкозонные полупроводники на основе четверных твердых растворов соединений А~IVВ~VI и А~IIIВ~V. Сообщ. АН ГССР , Т.88,N3 , с. C.565-568 , 01.1977   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Чиковани Р.И. ,     Зломанов В.П. ,     Криалашвили И.В. ,     Сагинури М.И. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев. Докл. АН , Т.272,N6 , с. C.1371-1374 , 01.1983   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Гегиадзе Г.Г. ,     Чиковани Р.И. ,     Зломанов В.П. ,     Бычкова Л.П. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xSe. Докл. АН СССР , Т.259,N1 , с. C.83-86 , 01.1981   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Зломанов В.П. ,     Флусов Г.В. ,     Трофимов В.Т. ,     Кашкур И.П. Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe. Ж. техн. физ. , Т.51,N5 , с. C.943-948 , 01.1981