Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Стопачинский В.Б.

    Страницы:   1   2   3 


  1.   Багаев В.С. ,     Поярков А.Г. ,     Стопачинский В.Б. ,     Бабаев Н.А. ,     Салащенко Н.Н.
    Энергия связи свободных экситонов в сверхтонких пленках CdTe. Оптика и спектроскопия полупроводников и диэлектриков. Республ. коллоквиум , с. С.1-9

  2.   Багаев В.С. ,     Поярков А.Г. ,     Стопачинский В.Б. ,     Бабаев Н.А. ,     Салащенко Н.Н.
    Размерное квантование экситонов в СdTe. Международная конференция "Электродинамика межфазной границы. Квант. эффекты в адсорбир. слоях и пленках. Телави. 1-5 окт. 1984. Тез. докл. , с. С.293-295

  3.   Сибельдин Н.Н. ,     Стопачинский В.Б. ,     Цветков В.А.
    Кинетика рекомбинационного излучения ЭДК в тонких образцах германия. Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков. IV Республ. коллоквиум. Материалы, Сухуми, 1981 , с. С.95-101

  4.   Сибельдин Н.Н. ,     Стопачинский В.Б. ,     Цветков В.А. ,     Кавецкая И.В.
    Распространение коротковолновых неравновесных фононов в германии. Всесоюз. совещ. по люминесценции. Тез. докл. , с. С.106

  5.   Сибельдин Н.Н. ,     Стопачинский В.Б. ,     Цветков В.А. ,     Кавецкая И.В. ,     Этьен Б..
    Распространение неравновесных фононов в германии и выход фононов в жидкий гелий. III Республиканский коллоквиум по модуляционной спектроскопии полупроводников и диэлектриков Тр. , с. С.148-153

  6.   Сибельдин Н.Н. ,     Стопачинский В.Б. ,     Цветков В.А.
    Движение электронно-дырочных капель с околозвуковыми скоростями. III Республиканский коллоквиум по модуляционной спектроскопии полупроводников и диэлектриков Тр. , с. P.137-141

  7.   Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. ,     Алексеев А.С. ,     Семенов А.Н. ,     Стопачинский В.Б.
    Излучение свободных и взаимодействующих экситонов в сильных магнитных полях. Физические исследования в сильных магнитных полях , с. C.109-115

  8.   Багаев В.С. ,     Падучих Л.И. ,     Стопачинский В.Б.
    Применение модуляционных методов к изучению ударной ионизации примесных центров и экситонов в GaAs. Модуляционная спектроскопия полупроводников. Труды I коллоквиума , с. С.46-51

  9.   Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. ,     Алексеев А.С. ,     Семенов А.Н. ,     Стопачинский В.Б.
    Излучение взаимодействующих экситонов в Ge в сильных магнитных полях. Письма в ЖЭТФ , Т.12,N5 , с. C.203-205 , 01.1970

  10.   Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Стопачинский В.Б. ,     Чураева М.Н.
    Осцилляции излучения электронно-дырочной Ферми-жидкости в германии в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ , Т.16,N3 , с. C.120-124 , 01.1972



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007