Страницы:   1   2    Астахов В.И. ,     Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Перов А.Н. ,     Галактионов В.В. ,     Тищенко А.Ю. ,     Трофимов В.Т. ,     Хаттатов В.У. Трассовый измеритель концентрации окиси углерода в атмосфере на основе импульсных диодных лазеров. Квант. электрон. , Т.9,N3 , с. C.531-536 , 01.1982   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Зломанов В.П. ,     Флусов Г.В. ,     Трофимов В.Т. ,     Кашкур И.П. Гетероструктура для инжекционных лазеров на основе Pb_1-xSn_xSe. Ж. техн. физ. , Т.51,N5 , с. C.943-948 , 01.1981   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т. Отрицательная фотопроводимость в Pb_1-xSn_x_Te:In. Письма в ЖЭТФ , Т.37,N10 , с. P.456-459 , 01.1983   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т. Кинетика фотопроводимости в Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N12 , с. P.2184-2189 , 01.1983   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Троицкий В.Ф. ,     Трофимов В.Т. ,     Изворян А.А. Криостат с регулируемой температурой для магнитооптических измерений. Приборы и техн. эксперим. , N4 , с. C.199-201 , 01.1984   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т. ,     Панкратов О.А. Двухэлектронный захват и параметры ян-теллеровского центра в Pb_1-xSn_xTe:In. Письма в ЖЭТФ , Т.42,N1 , с. P.3-6 , 01.1985   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.20,N2 , с. C.214-220 , 01.1986   Астахов В.И. ,     Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Перов А.Н. ,     Галактионов В.В. ,     Тищенко А.Ю. ,     Трофимов В.Т. ,     Хаттатов В.У. Измерение концентрации окиси углерода в приземном слое атмосферы с использованием перестраиваемых диодных лазеров. Мониторинг фонового загрязнения природных сред / Под ред. Ю.А.Израэля, Ф.Я.Ровинского , Вып.1 , с. С.175-180 , 01.1982   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т. Кинетика фотопроводимости нелегированных и легированных индием эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe. Пр.ФИАН , N194 , с. C.1-23 , 01.1983   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Матвеенко А.В. ,     Трофимов В.Т. Бесфоновый спектр поглощения Pb_1-xSn_xTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины. Физ. и техн. полупровод. , Т.21,N10 , с. C.1789-1795 , 01.1987