Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Флусов Г.В. ,     Старик П.М. Фотолюминесценция кристаллов Pb_1-x_Sn_xTe(x "приблизительно" 0,2) при небольшом ("приблизительно" 10~18 см~-3) уровне легирования индием. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2275-2277 , 01.1981