Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Кадушкин В.И.

  1.   . ,     Гришечкина С.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Капаев В.В. ,     Воронова И.Д. ,     Алещенко Ю.А. ,     Кадушкин В.И. ,     Фомичев С.И.
    Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям. Письма в ЖЭТФ , Т.58,N5 , с. C.377-380 , 01.1993

  2.   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Кадушкин В.И.
    Резонансное туннелирование и эффекты бистабильности в сверхрешетках на основе GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. С.10-15 , 01.1994



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007