Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Латышев Александр Васильевич

А.В. Латышев – специалист в области нанотехнологий и диагностики низкоразмерных систем.
Сфера научной деятельности А.В. Латышева:
in situ исследование структурных перестроек на поверхности полупроводников в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов; изучение структуры квантоворазмерных полупроводниковых систем методами электронной микроскопии атомного разрешения; развитие методов нанолитографии; осуществление комплексной диагностической и технологической поддержки многочисленных исследований в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии
А.В. Латышев является членом докторских диссертационных советов, редколлегий журналов «Surface Science and Nanotechnology» и «Вестник НГУ» (серия «Физика»), Научного совета Международной школы по материаловедению и электронной микроскопии (г. Берлин), экспертом РФФИ.
А.В. Латышев является профессором Кафедры физики полупроводников Новосибирского госуниверситета (НГУ), научным руководителем направления «Функциональные свойства наносистем и наноматериалов» в Научно-образовательном комплексе «Наносистемы и современные материалы» при НГУ, соруководителем научной школы «Атомные процессы и технологии создания низкоразмерных систем».
А.В. Латышев - автор и соавтор 130 научных работ, из них 1 монографии, 1 учебника и 3 патентов.
А.В. Латышев имел гранты Президента РФ.
А.В. Латышев награжден дипломами Фонда содействия отечественной науке и грамотой Министерства образования и науки РФ.

Ключевые слова

Нанодиагностика и нанотехнологии.


Последние изменения: 24.08.2020


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007