Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16    . ,     Капаев В.В. ,     Горбацевич А.А. ,     Кремлев В.Я. Квантовые приборы на основе передислокации волновой функции в гетероструктурах. Микроэлектроника , Т.23,N5 , с. C.17-26 , 01.1994   . ,     Корняков Н.В. ,     Белявский Б.И. ,     Шевцов С.В. Эффект изменения энергии ионизации примесей при передислокации волновых функций в системе квантовых ям. Письма в ЖЭТФ , Т.61,N12 , с. C.1004-1009 , 01.1995   . ,     Белявский Б.И. ,     Шевцов С.В. ,     Померанцев Ю.А. Глубокие акцепторные состояния в асимметричных системах квантовых ям в электрическом поле. Письма в ЖЭТФ , Т.62,N3 , с. C.197-202 , 01.1995   . ,     Молотков С.Н. Блоховские осцилляции и динамическая проводимость сверхрешетки. Письма в ЖЭТФ , Т.59,N11 , с. C.770-777 , 01.1994   . ,     Капаев В.В. ,     Горбацевич А.А. ,     Кремлев В.Я. Квантовые приборы на основе эффекта передислокации волновой функции. Электрон. промышленность , N4-5 , с. C.28-31 , 01.1995   . ,     Исмагилов А.М. Промежуточное диэлектрическое упорядочение в системах с коллективизированными электронами. ЖЭТФ , Т.103 , с. С.145-154 , 01.1993   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. Обусловленный флуктуациями параметров эквидистантный спектр локализованных состояний в квантово-размерных структурах. Письма в ЖЭТФ , Т.63,N4 , с. C.260-265 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. ,     Алещенко Ю.А. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlGaAs. Физ. и техн. полупровод. , Т.30,N5 , с. C.812-819 , 01.1996   . ,     Капаев В.В. Зависимость от импульса размерности электронных состояний в гетероструктурах. Письма в ЖЭТФ , Т.65,N2 , с. C.188-193 , 01.1997   . ,     Елесин В.Ф. ,     Капаев В.В. ,     Цуканов А.В. Когерентный лазер на двухямной структуре с подавленной межподзонной релаксацией. Письма в ЖЭТФ , Т.66,N11 , с. C.709-713 , 01.1997