Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Засавицкий И.И.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13 


  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Погодин В.И.
    Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.8,N4 , с. C.732-736 , 01.1974

  2.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe. Письма в ЖТФ , Т.1,N7 , с. C.341-343 , 01.1975

  3.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И.
    Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N10 , с. C.1902-1908 , 01.1975

  4.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В.
    Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(0<=x<=1). Письма в ЖТФ , Т.3,N2 , с. C.77-80 , 01.1977

  5.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Чижевский Е.Г.
    Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe. Квант. электрон. , Т.5,N3 , с. C.692-694 , 01.1978

  6.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И.
    Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb_1-xSn_xSe_1-yTe_y c согласованными решетками на гетерогранице. Квант. электрон. , Т.5,N12 , с. C.2630-2633 , 01.1978

  7.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Колошников В.Г. ,     Веденеева Т.В. ,     Курицын Ю.А.
    Применение импульсного лазера на основе Pb_0.955Sn_0.045Se для спектроскопии высокого разрешения молекулы NH_3. Письма в ЖТФ , Т.4,N15 , с. C.927-931 , 01.1978

  8.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. ,     Коропоткина Т.И. ,     Кулыгина Е.П. ,     Флусов Г.В.
    Лазерные гетероструктуры на основе твердого раствора Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N1 , с. C.124-128 , 01.1978

  9.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М.
    Определение зонных параметров твердых растворов PbSnTe(O<=x<=O,23) из спектров фотолюминесценции в магнитном поле. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N4 , с. C.705-712 , 01.1978

  10.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М.
    Излучательная рекомбинация в твердых растворах Pb_1-xSn_xTe. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N9 , с. C.1743-1749 , 01.1978



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007