Страницы:   1   2   3    Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Определение дрейфовой подвижности по измерениям шума фотосопротивлений. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N5 , с. C.1008-1010 , 01.1976   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Примесный фотоэффект в p-n переходе из германия. Физ. и техн. полупровод. , Т.12,N9 , с. C.1856-1858 , 01.1978   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках. Квант. электрон. , Т.6,N10 , с. C.2209-2214 , 01.1979   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. С.1771-1774 , 01.1979   Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Замковец Н.В. Широкополосный охлаждаемый фотоприемник. Приборы и техн. эксперим. , N2 , с. C.190-193 , 01.1973   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. Влияние случайного поля на энергию активации второго уровня цинка в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N8 , с. C.1486-1492 , 01.1981   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Зависимость времени жизни неравновесных дырок в р-германии от концентрации центров рекомбинации - ионов Zn - и температуры. Физ. и техн. полупровод. , Т.17,N4 , с. C.674-678 , 01.1983   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Определение степени компенсации в примесном полупроводнике по измерениям оптического поглощения. Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.285-288 , 01.1984   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Асланов Г.А. Сечение захвата дырок ионами Hg[-] в германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.18,N2 , с. C.319-323 , 01.1984   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg). Физ. и техн. полупровод. , Т.19,N6 , с. C.1008-1011 , 01.1985