В.И. Рыжий специалист в области теории полупроводников и компьютерного моделирования физических процессов. Сфера научной деятельности В.И. Рыжия: исследование низко размерных полупроводниковых структур и наноэлектронных и оптоэлектронных приборов на их основе. Кроме МФТИ В.И. Рыжий работал в электронной промышленности, в институтах АН СССР и РАН (в Институте общей физики АН СССР и Физико-технологическом институте АН СССР – затем РАН), а также в Университете г. Айзу (Япония). В.И. Рыжий был председателем Экспертного cовета Госкомитета СССР по изобретениям и открытиям, членом Экспертного совета ВАК СССР и различных диссертационных советов, членом редколлегий журналов " Математическое моделирование" и “Микроэлектроника". Он является членом редколлегий журналов: " Оптоэлектронное обозрение" ("Optoelectronics Review"), "Письма по прикладной физике" ("Applied Physics Letters") и "Журнала прикладной физики" ("Journal of Applied Physics"). В.И. Рыжий избран Феллоу Института инженеров по электротехнике и электронике, США (IEEE Fellow) и Феллоу Американского физического общества (Fellow of APS). Рыжий В.И. является автором и соавтором более 400 научных работ, из них 300 журнальных статей, 3 книг и 11 изобретений. В.И. Рыжий - лауреат премии Ленинского комсомола. Ключевые слова Физика и математическое моделирование элементной базы вычислительной техники. Теория полупроводник и компьютерного моделирования физических процессов.