Родился 03.11.1928 США. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, William L. Everitt Laboratory, 1406 W. Green Street, Urbana, IL 61801-2918, USA. Избран в 1999 году. Иностранный член РАН c 01.01.1999 - Отд. общей физики и астрономии (физика), США Награды   Премия, международная Международная энергетическая премия "Глобальная энергия" Награжден 2003 "За основополагающий вклад в создание кремниевой силовой электроники и изобретение первых полупроводниковых светодиодов в видимой области спектра"