Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Муминов Р.А.

  1.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Генерация когерентного излучения в электронно-дырочной плазме антимонида индия без магнитного поля. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. Труды. Москва, 23-29 июля 1968 г. Т.1 , с. C.570-572

  2.   Шотов А.П. ,     Муминов Р.А. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н.
    Пинч-эффект в вырожденной электронно-дырочной плазме антимонида индия. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. Труды. Москва, 23-29 июля 1968 г. Т.II. , с. С.891-897

  3.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Копыловский Б.Д. ,     Муминов Р.А.
    Спонтанное и когерентное излучение электронно-дырочной плазмы антимонида индия. Физ. тверд. тела , Т.8,N4 , с. C.1083-1087 , 01.1966

  4.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Пинч-эффект в вырожденной плазме антимонида индия. ЖЭТФ , Т.50,N6 , с. C.1525-1528 , 01.1966

  5.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Генерация когерентного излучения в электронно-дырочной плазме антимонида индия. Физ. тверд. тела , Т.8,N8 , с. C.2496-2497 , 01.1966

  6.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Пинч-эффект в вырожденной плазме в продольном и поперечном магнитных полях. ЖЭТФ , Т.52,N1 , с. C.71-78 , 01.1967

  7.   Шотов А.П. ,     Муминов Р.А. ,     Миргаловская М.С. ,     Раухман М.Р.
    Когерентное излучение в кристаллах антимонида индия с тянутым p-n переходом. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N9 , с. C.1432-1434 , 01.1967

  8.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Когерентное излучение электронно-дырочной плазмы антимонида индия при отсутствии магнитного поля. Письма в ЖЭТФ , Т.6,N10 , с. C.895-898 , 01.1967

  9.   Шотов А.П. ,     Муминов Р.А.
    Некоторые свойства инжекционных лазеров на основе электронно-дырочной плазмы в антимониде индия. Физ. и техн. полупровод. , Т.4,N1 , с. C.145-149 , 01.1970



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007